Um die Inpedanzanpassung für aktive Schlatungen im Sub-THz Bereich (90-300 GHz) zu realisieren gibt es einige Möglichkeiten. Am häufigsten kommen Transformatoren (gekoppelte Induktivitäten) oder Leiungsnetzwerke zum Einsatz. Neben diesen herkömmlichen Möglichkeiten können auch gekoppelte Leitungen eingesetzt werden.
Literaturbeispiele:
- Transmission-line directional couplers for impedance transforming | IEEE Journals & Magazine | IEEE Xplore
- Design of Compact Coupled-Line Complex Impedance Transformers With the Series Susceptance Component | IEEE Journals & Magazine | IEEE Xplore
In dieser Abschlussarbeit bekommst du die Möglichkeit D-Band (110-170 GHz) Verstärker als integrierte Schaltung für einen modernen SiGe BiCMOS Prozess zu entwickeln. Anhand dieser Verstärker kannst du die Impedanzanpassung einerseits basierend auf herkömmlichen Leitungsnetzwerken und andererseits basierend auf Kopplern zu untersuchen.
Im Rahmen der Abschlussarbeit wird dir der Einstieg ins Chipdesign geboten inklusive der populärsten Tools zum Entwurf und der Simulation integrierter Shaltungen.
Ihr könnt euch auch gerne direkt bei mir melden: stefan.schoenhaerl@fau.de